Ziele und Methoden der Dotierung
Ziel Dotierung
Bei der Herstellung von Halbleiter-Dotierung gilt als integraler Prozess (zusammen mit der Abscheidung und ätzen). Sein Hauptzweck — Korrektur-Typ Leitfähigkeit und Konzentration der Medien im Volumen des Halbleiters zur Erreichung bestimmter Eigenschaften (die gewünschte Glätte der pn-übergang). Die häufigsten Elemente zur Dotierung von Silicium — Phosphor P und Arsen As (ermöglichen eine n-Typ Leitfähigkeit) und Bor (p-Typ).
Möglichkeiten der Dotierung
Heute gibt es drei verschiedene Technologien Dotierung: Ion Implantation, thermische Diffusion und Neutronen-трансмутационное Dotierung.
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